大家好,小訊來為大家解答以上的問題。光生載流子，請問什么叫做載流子這個很多人還不知道,現(xiàn)在讓我們一起來看看吧！

1、在物理學中，載流子指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒，如電子和離子。

2、在半導體物理學中，電子流失導致共價鍵上留下的空位（空穴[1]）被視為載流子。

3、金屬中為電子，半導體中有兩種載流子即電子和空穴。

4、 　　在電場作用下能作定向運動的帶電粒子。

5、如半導體中的自由電子與空穴，導體中的自由電子，電解液中的正、負離子，放電氣體中的離子等。

6、　　"載流子" 在學術文獻中的解釋： 　　不論是N型半導體中的自由電子,還是P型半導體中的空穴,它們都參與導電,統(tǒng)稱為“載流子”.“載流子”導電是半導體所特有的 　　2、關于氣體導電眾所周知,導體之所以容易導電,是因為“導體中存在大量的可以自由移動的帶電物質微粒,稱為載流子.在外電場的作用下,載流子作定向運動,形成明顯的電流”　　在半導體中載運電流的帶電粒子——電子和空穴,又稱自由載流子。

7、在一定溫度下,半導體處于熱平衡狀態(tài),半導體中的導電電子濃度n0和空穴濃度p0都保持一個穩(wěn)定的數(shù)值,這種處于熱平衡狀態(tài)下的導電電子和空穴稱為熱平衡載流子。

8、 　　在本征半導體中只發(fā)生熱激發(fā)時,電子數(shù)目等于空穴數(shù)目,這時熱平衡載流子濃度為 　　 　　式中m0為電子質量,kg;mn*為電子有效質量,kg; mp*為空穴有效質量,kg;k為玻耳茲曼常數(shù),J/K;Eg為禁帶寬度,eV;ni為本征載流子濃度,cm-3;T為絕對溫度,K。

9、 　　對于雜質半導體,N型半導體中的電子和P型半導體中的空穴稱為多數(shù)載流子(簡稱多子),而N型半導體中的空穴和P型半導體中的電子稱為少數(shù)載流子(簡稱少子)。

10、在強電離的情況下,N型半導體中多子濃度nn及少子濃度pn分別為　　 P型半導體中多子濃度pp及少子濃度np分別為　　 上二式中ND為施主雜質濃度,cm-3;NA為受主雜質濃度,cm-3。

11、 　　如果對半導體施加外界作用(如用光的或電的方法),破壞了熱平衡條件,使半導體處于與熱平衡狀態(tài)相偏離的狀態(tài),則稱為非平衡狀態(tài)。

12、處于非平衡狀態(tài)的半導體,其載流子比平衡狀態(tài)時多出來的那一部分載流子稱為非平衡載流子。

13、在N型半導體中,把非平衡電子稱為非平衡多數(shù)載流子,非平衡空穴稱為非平衡少數(shù)載流子。

14、對P型半導體則相反。

15、在半導體器件中,非平衡少數(shù)載流子往往起著重要的作用。

16、　　載流子壽命 life time of carriers　　非平衡載流子在復合前的平均生存時間,是非平衡載流子壽命的簡稱。

17、在熱平衡情況下,電子和空穴的產(chǎn)生率等于復合率,兩者的濃度維持平衡。

18、在外界條件作用下(例如光照),將產(chǎn)生附加的非平衡載流子,即電子—空穴對;外界條件撤消后,由于復合率大于產(chǎn)生率,非平衡載流子將逐漸復合消失掉,最后回復到熱平衡態(tài)。

19、非平衡載流子濃度隨時間的衰減規(guī)律一般服從exp(-t/τ)的關系,常數(shù)τ表示非平衡載流子在復合前的平均生存時間,稱為非平衡載流子壽命。

20、在半導體器件中,由于非平衡少數(shù)載流子起主導作用,因此τ常稱為非平衡少數(shù)載流子壽命,簡稱少子壽命。

21、τ值范圍一般是10-1～103μs。

22、復合過程大致可分為兩種:電子在導帶和價帶之間直接躍遷,引起一對電子—空穴的消失,稱為直接復合;電子—空穴對也可能通過禁帶中的能級(復合中心)進行復合,稱為間接復合。

23、每種半導體的r并不是取固定值,將隨化學成分和晶體結構的不同而大幅度變化,因此,壽命是一種結構靈敏參數(shù)。

24、τ值并不總是越大越好。

25、對于Si單晶棒和晶體管的靜態(tài)特性來說,希望τ值大些。

26、但是,對于在高頻下使用的開關管,卻往往需要摻雜(擴散金),以增加金雜質復合中心,降低τ值,提高開關速度。

27、近年來,在電力電子器件生產(chǎn)中,常用電子束輻照代替摻金,降低τ值。

28、在Si和GaAs材料、器件和集成電路生產(chǎn)過程中,τ值是必須經(jīng)常檢測的重要參數(shù)。

本文到此分享完畢，希望對大家有所幫助。

　　免責聲明：本文由用戶上傳，與本網(wǎng)站立場無關。財經(jīng)信息僅供讀者參考，并不構成投資建議。投資者據(jù)此操作，風險自擔。 如有侵權請聯(lián)系刪除！